Kadid, SorayaMEFTAH2024-04-282024-04-282015http://dspace.univ-skikda.dz:4000/handle/123456789/1425Les ions lourds rapides et les agrégats C60, en pénétrant dans les semi-conducteurs, déposent leur énergie essentiellement par interaction avec les électrons de la cible. Ce dépôt conduit au dessus d’une valeur seuil du pouvoir d’arrêt électronique à la formation de traces latentes. Dans ce travail, nous avons déterminé les rayons de traces et les seuils d’endommagements en appliquant le modèle de la pointe thermique à deux grandes familles de semi-conducteurs pour lesquelles des résultats expérimentaux sont disponibles dans la littérature, les composés III-V représentés par l’antimoniure d’indium, le phosphure d’indium et l’arséniure de gallium, et le germanium au titre des composés IV. Les résultats de la simulation ont été confrontés aux mesures expérimentales. L’effet de vitesse sur la création de traces mis en évidence dans ces matériaux montre une nouvelle fois que le pouvoir d’arrêt n’est pas l’unique paramètre à prendre en considération.frThesis