BOULAININE, DjahidaKABIR, Abdenour2024-04-162024-04-162018http://dspace.univ-skikda.dz:4000/handle/123456789/1072Des couches minces SnO2 ont été déposées sur des substrats silicium dans le cadre de cette thèse dans le but d’une éventuelle application dans le domaine du photovoltaïque. L’élaboration des ces couches a été effectuée par oxydation thermique, dans une atmosphère riche en oxygène, de couches minces d’étain déposées par évaporation sous vide. Les couches minces oxydées ont été caractérisées par différentes techniques afin d’étudier l’effet de la température et du temps d’oxydation. Ces techniques sont la diffraction des rayons X (DRX), la microscopie électronique à balayage (MEB), la spectroscopie de rétrodiffusion Rutherford (RBS), la spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier (FTIR), la spectroscopie UVvisible en réflexion, la technique des quatre pointes et la profilométrie de surface pour les mesures d’épaisseur. La DRX a montré que la transformation Sn-SnO2 et la croissance des grains sont influencées par le processus d’oxydation et aussi par l’orientation des substrats silicium. Des caractérisations complémentaires par MEB, RBS et FTIR ont confirmé les résultats de la DRX. L’énergie de la bande interdite déterminée à partir des spectres de réflexion UV-visible est proche de celle du matériau massif. La variation de la résistivité électrique et de l’épaisseur des couches a été étudiée et l’épaisseur de la couche d’étain consommée lors du processus d’oxydation a été déterminéefrThesis