Développement d’un modèle numérique pour la simulation du phénomène de la résistance négative d’une diode tunnel
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Date
2025-06-30
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Faculté des Sciences
Abstract
Ce travail porte sur l’étude théorique et numérique d’une diode tunnel, en s’appuyant sur le
couplage des équations de Schrödinger et de Poisson. Le comportement quantique des électrons
est modélisé à l’échelle nanométrique dans un régime stationnaire et balistique. Les équations
sont discrétisées à l’aide de la méthode des différences finies, en appliquant des conditions aux
limites transparentes. La méthode de Gummel est employée pour traiter le couplage entre
Schrödinger et Poisson de manière itérative et accélérer la convergence. Cette modélisation
permet de simuler le potentiel, la densité électronique ainsi que le courant quantique. Les
résultats obtenus permettent d’analyser l’effet du dopage sur la structure et de mettre en évidence
la résistance négative caractéristique de la diode tunnel