Simulation numérique dans le cadre du modèle de la pointe thermique du dommage induit par irradiation aux ions lourds rapides dans les semi-conducteurs
Loading...
Date
2015
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Université 20 août 1955 - SKIKDA
Abstract
Les ions lourds rapides et les agrégats C60, en pénétrant dans les semi-conducteurs,
déposent leur énergie essentiellement par interaction avec les électrons de la cible. Ce dépôt
conduit au dessus d’une valeur seuil du pouvoir d’arrêt électronique à la formation de traces
latentes. Dans ce travail, nous avons déterminé les rayons de traces et les seuils
d’endommagements en appliquant le modèle de la pointe thermique à deux grandes familles
de semi-conducteurs pour lesquelles des résultats expérimentaux sont disponibles dans la
littérature, les composés III-V représentés par l’antimoniure d’indium, le phosphure d’indium
et l’arséniure de gallium, et le germanium au titre des composés IV. Les résultats de la
simulation ont été confrontés aux mesures expérimentales. L’effet de vitesse sur la création de
traces mis en évidence dans ces matériaux montre une nouvelle fois que le pouvoir d’arrêt
n’est pas l’unique paramètre à prendre en considération.