Propriétés opto-électriques des films minces du dioxyde d’étain
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Date
2015-03-08
Authors
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Publisher
Université 20 aout 1955- Skikda
Abstract
Le travail que nous avons entamé porte sur la synthèse des couches minces de
dioxyde d’étain(SnO2) en utilisant une technique à deux étapes : l'obtention d'une
vapeur d'étain déposé sur un substrat en verre ordinaire puis une oxydation des
couches d’étain obtenues sous air avec deux différentes températures (500°C et
600°C). Au cours de cette étude nous avons discuté l’effet du temps de recuit sur les
propriétés structurales, optiques et électriques des films.
Les épaisseurs des couches SnO2 obtenues avec les deux températures de recuit,
augmentent avec l’augmentation du temps de recuit, suivant une loi parabolique ou la
concentration des cations d’étain et des anions d’oxygènes diffusant aux interfaces
oxyde-métal et oxyde-gaz est constante. La taille des grains des couches recuits à
500°C est comprise entre 15et 20nm, leurs cristallisation dans la structure tetragonal
rutile est obtenue à partir de 100mn de recuit. La résistivité des couches est comprise
entre 5×10-3Ωcm et 80×10-3Ωcm. Ces films présentent une certaine rugosité
approuvée par l’analyse RBS, cette analyse a confirmé l’amélioration de la qualité
cristalline des couches avec l’augmentation du temps de recuit.La photoluminescence,
montre que ces couches présentent des défauts de structure natifs de ce matériau et
qui sont (les lacunes d’oxygène et les atomes d’étain interstitiels).
La taille des grains descouches recuit à 600°C est comprise entre 11 et 18nm, leurs
Cristallisation est obtenue après deux heures de recuit. Ces couches, présentent une
résistivité électrique comprise entre 2.510-3 ΩCm et 4.310-3 ΩCm, et qui est plus
faible que celles des couches recuit à 500°C. La transmission et la réflexion des
couches varient respectivement entre 50 et 80% et entre 15 et 25%, l’indice de
réfraction des couches augmente de 1.78 à 1.92