ÉTUDE DE L’EFFET DE DOPAGE SUR LES PROPRIÉTES PHYSIQUE DE L’OXYDE D’ÉTAIN
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Date
2024
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Faculté des Sciences
Abstract
L'objectif de ce travail est d'utiliser l'énergie solaire pour produire des couches minces de SnO2 par la technique Spray pyrolyse, et d'étudier ensuite l'effet du dopage en Cu sur les propriétés (structurelles, optiques et électriques), où SnCl2-3H2O a été utilisé, et de fines tranches ont été déposées sur des substrats de verre à concentration variée du Cu (0%, 1%, 3%, 5% et 7%). Cette étude a été élaborée pour examiner les propriétés des films minces en utilisant la technique de diffraction des rayons X (propriétés structurelles) et la spectroscopie des rayons. Ultraviolet et visible (propriétés optiques), ainsi que la méthode des quatre pointes (propriétés électriques). L'analyse aux rayons X a montré que nos échantillons cristallisent selon une structure cubique, les cristaux en lamelles adoptent une direction privilégiée selon la direction (1 1 0), où la dimension des grains atteint un maximum (33.4 nm) à 5% de Cu dopant avec une diminution de l'épaisseur de la tranche. Alors que l'analyse UV-visible a montré que la transmittance de la tranche avait augmenté à 5% de Cu. Le calcul a généralement montré que l'énergie URBACH est inversement proportionnelle au gap optique (Eg) de couches élaborées. L'analyse par la méthode des quatre pointes a montré que la conductivité électrique (σ) atteint un maximum (0,025 ohm 1- cm-1) lors de la pulvérisation de film à une concentration de 3% en Cu.
Les résultats obtenus montrées aussi que le dopage de SnO2 en cuivre améliore ces caractéristiques optiques et électriques au bon sens d'une amélioration structurelle.