Etude, par simulation, de quelques propriétés physiques des composés binaires Mg2X (X = C, Si, Ge, Sn)
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Date
2023
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Faculté des Sciences
Abstract
Dans ce travail nous avons étudié Les propriétés structurelles, électroniques et élastiques des composés binaires Mg2X (X = C, Si, Ge, Sn). Cette étude est effectuée en utilisant la méthode du potentiel complet - ondes planes augmentées et linéarisées (FP-LAPW basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT)implanté dans le code de calcul WIEN2K. Les
paramètres structurels, incluant le paramètre du réseau (a), le module compressibilité (B) et sa
dérivée par rapport à la pression (B'), des composés considérés sont calculés en utilisant
l'approximation PBE - GGA pour traiter le potentiel d'échange-corrélation. Cette études à
montré que les Mg2X (X = C, Si, Ge, Sn) sont des semi-conducteur à faibles gaps. Pour une
bonne description du comportement mécanique des matériaux considérés, nous avons calculé d’abord leurs constantes élastiques en état monocristallin, i.e., les constantes élastiques
anisotropes Cij. Les valeurs numériques obtenues pour les Cij ont été ensuite employées pour
quantifier l’anisotropie élastique des systèmes étudiés et vérifier leurs stabilité mécanique. En
utilisant toujours les valeurs des Cij et en se basant sur l’approximation de Voigt-Reuss-Hill, nous
avons exploré les propriétés élastiques des composés étudiés en état polycristallin: les modules
d’élasticité isotropes (module de compressibilité B, module de cisaillement G, module de Young
E et rapport de poisson ν). Les résultats de la présente étude sont comparés avec les données expérimentales et théoriques disponibles dans la littérature scientifique pour tester la fiabilité de
nos résultats.